（原标题：OPPO Find X8发布,英诺赛科为其注入AllGaN黑科技）

10月24日,各人朝上的智能终局制造商OPPO发布了最新的旗舰手机 Find X8/X8 pro,主打轻薄直屏和影像旗舰,天玑9400处理器与潮汐引擎的超强配置,配合冰川电板与极速充电工夫,或者为用户带来畅通的操作体验和捏久的续航推崇。

据了解,OPPO 这次发布的Find X8/X8 pro系列手机摄取了英诺赛科全链路氮化镓(AllGaN)工夫,从电源侧的快速充电(80W超等闪充和50W无线充)得手机里面主板的充电过压保护(OVP),均摄取了英诺赛科氮化镓。

据悉,英诺赛科是各人功率半导体更动的调换者,亦然各人最大的氮化镓芯片制造企业。公司摄取IDM全产业链生意边幅,并在各人范围内初度达成了先进的8英寸氮化镓量产工艺,是各人氮化镓行业的龙头企业,于2023-2024年,贯穿2年入选“胡润各人独角兽榜”。

英诺赛科的氮化镓产物用于各式低中高压期骗场景,产物研发范围障翳15V至1200V,涵盖晶圆、分立器件、IC、模组,并为客户提供全氮化镓惩办决策。树立于今,英诺赛科领有近700项专利及专利肯求,产物可庸碌期骗于蹧跶电子、可再天真力及工业期骗、汽车电子及数据中心等前沿边界。

全链路氮化镓(AllGaN)工夫

第三代半导体氮化镓材料具备高能效、高频率的特点,或者打造体积更小、充电更快且安全性更高的产物。

OPPO 在Find X8/X8 pro系列手机主板充电过压保护和50W无线充产物中,摄取了英诺赛科40V双向导通芯片VGaN,一颗替代两颗背靠背的 Si MOS,大大简化了里面空间,使产物盘算愈加轻薄。同期,VGaN 具备双向导通或关断的特点,能在手机充电流程中对电板进行主动保护,增强了安全性和使用寿命。50W无线充更是称心了用户遍地随时快速充电的需求。

充电侧的超等闪充则摄取了英诺赛科高压GaN,该芯片摄取TO-252 封装,阻抗更低,散热更强,后果更高。凭据 OPPO 官方数据对比,摄取英诺赛科高压 GaN 的80W 超等闪充与此前标配的80W适配器相比,体积减小约18%,随身佩戴更便捷。

各人朝上的智能终局制造商选拔与英诺赛科永恒深度互助,体现了其对创新工夫和产物质能的信心和决心。据了解,该厂商已有多个系列产物(包括 Find X7/X8/Ultra,Realme GT 系列,一加 Ace 系列,以及 50W~150W 快充)的主板和充电器均摄取了英诺赛科 AllGaN 工夫,达成了产物质能与竞争力的朝上。

氮化镓赋能往时,共促行业创新

氮化镓材料以其高频、高电子移动率、强抗辐照智商及低导通电阻等不凡特点,正缓缓更动功率半导体行业神气。巨擘机构预测,2023年至2028年间,各人氮化镓功率半导体市集范围将达成指数级增长,复合年增长率高达98.5%,市集后劲广泛。

算作各人功率半导体更动的前驱,英诺赛科捏续引颈氮化镓功率半导体行业进入加快发展阶段,弗若斯特沙利文预测至2028年,各人市集范围将达到501.4亿元东谈主民币。

占据上风赛谈,据悉,英诺赛科最近三年业务高速增长,收入由2021年的6821.5万元(东谈主民币,下同)增多至2023年的5.9亿元,2021年-2023年,收入复合年增长率高达194.8%。

一方面各人氮化镓下流期骗进入爆发期,需求端强力拉动,另一方面收货于公司永恒豪阔远见的政策布局,英诺赛科摄取IDM边幅,在产物盘算、工艺制造、测试及下流期骗等方面捏续大皆干涉,建设了特有且无可比较的工夫朝上地位及概述运营上风,或者有用称心市集强盛需求。

算作第三代半导体氮化镓更动的调换者,往时,英诺赛科将捏续深耕,期待以愈加不凡的工夫,助力更多行业厂商,打造更极致更优质的产物,共同鼓吹行业创新及期骗。

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